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2N3251A、JAN2N2905对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3251A JAN2N2905

描述 Small Signal Transistors TO-18 CasePNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-39-3

耗散功率 - 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 800 mW

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 600 mW

极性 - PNP

集电极最大允许电流 - 0.6A

最大电流放大倍数(hFE) - 450 @1mA, 10V

封装 - TO-39-3

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 -