IRLZ34NPBF、IRLZ34PBF、IRLZ24NPBF对比区别

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型号 IRLZ34NPBF IRLZ34PBF IRLZ24NPBF

描述 INFINEON  IRLZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 VVISHAY  IRLZ34PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 VINFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定功率 56 W - 45 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.035 Ω 0.05 Ω 0.06 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 56 W 88 W 45 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

输入电容 880 pF - 480 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A 18A

上升时间 100 ns - 74 ns

输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) - 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 68 W - 45 W

下降时间 29 ns - 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 68W (Tc) - 45W (Tc)

长度 10.54 mm - 10.54 mm

高度 8.77 mm - 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

宽度 4.4 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17