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1N4106、JAN1N4106、1N4106-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4106 JAN1N4106 1N4106-1

描述 SILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W(1/4W), 5% TOLERANCE硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 250 mW 500 mW 500 mW

稳压值 12 V 12 V 12 V

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

测试电流 - - 0.25 mA

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Box - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -