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IRFM150U、JANTX2N7224、2N722对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFM150U JANTX2N7224 2N722

描述 Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,每N沟道MOSFET合格MIL -PRF- 592分之19500 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-254-3 TO-254

耗散功率 - 4 W -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 4000 mW -

封装 - TO-254-3 TO-254

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -