CY7C1145KV18-400BZXC、CY7C1145KV18-400BZXCT、CY7C1165KV18-400BZC对比区别

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型号 CY7C1145KV18-400BZXC CY7C1145KV18-400BZXCT CY7C1165KV18-400BZC

描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R18 - Mbit的QDR ？ II + SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 400 MHz - -

位数 36 36 36

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - -