BSM50GP60、BSM50GP60G、MUBW50-06A7对比区别

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型号 BSM50GP60 BSM50GP60G MUBW50-06A7

描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 24Pin EconoPIM2Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 24Pin EconoPIM3IGBT 模块，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 24 24 24

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-3 E2

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-3 E2

长度 107.5 mm - 107.5 mm

宽度 45 mm - 45 mm

高度 17 mm - 17 mm

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

正向电压 - - 1.5 V

耗散功率 250 W - 250000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 2.8nF @25V

额定功率(Max) - - 250 W

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 250000 mW

工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99