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IRF6894MTR1PBF、IRF6894MTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6894MTR1PBF IRF6894MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 32A25V,1.3mΩ,32A,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

额定功率 - 54 W

针脚数 - 6

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 54 W 2.8 W

阈值电压 - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 32A 32A

上升时间 42 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 4160pF @13V(Vds) 4160pF @13V(Vds)

额定功率(Max) - 2.1 W

下降时间 14 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 54W (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc)

长度 6.35 mm 6.35 mm

宽度 5.05 mm 5.05 mm

高度 0.7 mm 0.7 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99