R1WV3216RSD-7SR、R1LV3216RSD-5SI#B0、R1WV3216RSD-7SI对比区别
型号 R1WV3216RSD-7SR R1LV3216RSD-5SI#B0 R1WV3216RSD-7SI
描述 32MB先进LPSRAM ( 2M wordx16bit ) 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)32MB先进LPSRAM ( 2M wordx16bit ) 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
引脚数 - 52 52
封装 TSOP TSOP-52 TSOP
安装方式 - Surface Mount -
电源电压(DC) - - 2.70V (min)
存取时间 - 55 ns 70 ns
内存容量 - - 4000000 B
工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3 V 2.7V ~ 3.6V 3 V
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
位数 - 8, 16 -
存取时间(Max) - 55 ns -
封装 TSOP TSOP-52 TSOP
长度 - 10.89 mm -
宽度 - 8.99 mm -
高度 - 1 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tray Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
含铅标准 - PB free -
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -
ECCN代码 - EAR99 -