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5962-8552512XA、IDT7164S100DB、7164L100DB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-8552512XA IDT7164S100DB 7164L100DB

描述 SRAM Chip Async Single 5V 64Kbit 8K x 8 85ns 28Pin CDIP TubeCMOS Static RAM 64K (8K x 8Bit)SRAM Chip Async Single 5V 64Kbit 8K x 8 100ns 28Pin CDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

存取时间 85 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

电源电压(Max) 5 V - -

电源电压(Min) 5 V - -

电源电压 - - 5 V

长度 37.2 mm - 37.2 mm

宽度 15.24 mm - 15.2 mm

高度 1.65 mm - -

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

厚度 1.65 mm - 1.65 mm

工作温度 55℃ ~ 125℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A001 3A001 -