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APT6015LVR、APT6015LVRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6015LVR APT6015LVRG

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264TO-264 N-CH 600V 38A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264 TO-264

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 38.0 A

极性 - N-CH

耗散功率 - 520 W

输入电容 - 9.00 nF

栅电荷 - 475 nC

漏源极电压(Vds) - 600 V

连续漏极电流(Ids) - 38.0 A

上升时间 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520000 mW 520000 mW

封装 TO-264 TO-264

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free