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TSV852IDT、TSV852IYDT、MCP622-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSV852IDT TSV852IYDT MCP622-E/SN

描述 TSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronicsOperational Amplifiers - Op Amps Low PWR OpAmp 180uA 5V 50nA 0.8mV 1.3MHzMICROCHIP  MCP622-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 20 MHz, 2个放大器, 10 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

输出电流 70 mA 70mA @5V 130 mA

供电电流 130 µA 130 µA 2.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 75 dB 68 dB 84 dB

增益频宽积 1.3 MHz 1.3 MHz 20 MHz

输入补偿电压 4 mV 4 mV 200 µV

输入偏置电流 27 nA 27 nA 5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 72 dB 72 dB 65 dB

电源电压(DC) - - 2.50V (min)

工作电压 - - 2.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 8

静态电流 - - 3.6 mA

输入补偿漂移 - - 2.00 µV/K

带宽 1.3 MHz - 20 MHz

转换速率 700 mV/μs - 10.0 V/μs

增益带宽 1.3 MHz - 20 MHz

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5V ~ 6V

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.25 mm - 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -