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71V67602S133PFGI、IDT71V67602S133PFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67602S133PFGI IDT71V67602S133PFI

描述 IC SRAM 9Mbit 133MHz 100TQFP256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 -

封装 TQFP-100 LQFP-100

存取时间 4.2 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) 3.465 V -

电源电压(Min) 3.135 V -

长度 20 mm -

宽度 14 mm -

高度 1.4 mm -

封装 TQFP-100 LQFP-100

厚度 1.40 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - 3A991