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KM416C254DT-L5、V53C16258HT50、M5M44265CTP-5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KM416C254DT-L5 V53C16258HT50 M5M44265CTP-5

描述 EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 5V 40Pin TSOP-IIEDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 262144 - WORD 16 - BIT)动态RAM EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Mosel-Vitelic Mitsubishi (三菱)

分类

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-2 -

封装 TSOP-2 TSOP-2 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -