STP200N6F3、STP26NM60N、STP8N65M5对比区别

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型号 STP200N6F3 STP26NM60N STP8N65M5

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP8N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 3.3 mΩ - 0.56 Ω

耗散功率 330 W 140 W 70 W

漏源极电压(Vds) 60 V 600 V 650 V

漏源击穿电压 60 V - -

上升时间 75 ns 25 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 690pF @100V(Vds)

下降时间 14 ns 50 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 140W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 - - 3

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - - 4 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 7A

额定功率(Max) - 140 W 70 W

输入电容 - 1800 pF -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 15.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -