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70T3519S133BC、70T3519S200BCG、CYD09S36V18-200BBXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133BC 70T3519S200BCG CYD09S36V18-200BBXI

描述 256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sFullFlex SDR同步双端口SRAM商用和工业温度 FullFlex Synchronous SDR Dual Port SRAM Commercial and Industrial temperature

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 256 256 256

封装 LBGA-256 CABGA-256 FBGA-256

存取时间 - 3.4 ns 3.3 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

电源电压(DC) - - 1.80 V

时钟频率 - - 200 MHz

位数 - - 36

内存容量 - - 9000000 B

长度 17.0 mm 17 mm -

宽度 17.0 mm 17 mm -

高度 - 1.4 mm -

封装 LBGA-256 CABGA-256 FBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b