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KM681000CLP-7L、M5M51008CP-70H、KM681000BLP-7L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KM681000CLP-7L M5M51008CP-70H KM681000BLP-7L

描述 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM1048576 - BIT ( 131072 -字×8位)的CMOS静态RAM 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAMSRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 70ns 32Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Mitsubishi (三菱) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - Through Hole -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

电源电压 - 5 V -

RoHS标准 - Non-Compliant -