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IXTA130N065T2、IXTP130N065T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA130N065T2 IXTP130N065T2

描述 Mosfet n-Ch 65V 130A To-263TO-220 N-CH 65V 130A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-263-3 TO-220-3

漏源极电阻 6.6 mΩ -

耗散功率 250W (Tc) 250W (Tc)

漏源极电压(Vds) 65 V 65 V

漏源击穿电压 65 V -

上升时间 42 ns -

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

下降时间 17 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc)

极性 - N-CH

连续漏极电流(Ids) - 130A

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free