ISL9N307AS3ST、STP60NF06、FDH44N50对比区别

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型号 ISL9N307AS3ST STP60NF06 FDH44N50

描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 60.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 11.5 mΩ 0.016 Ω 0.11 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 100 W 110 W 750 W

阈值电压 - 2 V 3.15 V

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 30 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A -

上升时间 - 108 ns 84 ns

输入电容(Ciss) - 1660pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 750 W

下降时间 - 20 ns 79 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 750 W

长度 10.67 mm 10.4 mm 15.87 mm

宽度 9.65 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 4.83 mm 9.15 mm 20.82 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -