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AUIRF1010ZS、AUIRF1010ZSTRR、PSMN7R6-60BS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF1010ZS AUIRF1010ZSTRR PSMN7R6-60BS

描述 INFINEON  AUIRF1010ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 55V 94ANXP  PSMN7R6-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 92 A, 60 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 140 W 140 W -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0058 Ω 7.5 mΩ 0.0059 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 149 W

阈值电压 2 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 94A 94A -

上升时间 150 ns 150 ns -

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) -

下降时间 92 ns 92 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140000 mW -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 55 V -

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 9.65 mm 9.25 mm -

高度 4.83 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC