IXFR10N100Q、IXFR12N100Q、IXFR15N100Q3对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFR10N100Q IXFR12N100Q IXFR15N100Q3

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 9A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247ISOPLUS N-CH 1000V 10AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

通道数 1 1 -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 250W (Tc) 250W (Tc) 400 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) - 10A 10A

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc) 400W (Tc)

上升时间 - - 250 ns

下降时间 - - 8 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

宽度 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 16.13 mm

高度 - - 21.34 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free