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APT6013B2LLG、APT8024B2FLL、APT6011B2VFRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6013B2LLG APT8024B2FLL APT6011B2VFRG

描述 MOSFET功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.T-MAX N-CH 600V 49A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

引脚数 3 - 3

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) - 800 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 31A 49A

上升时间 14 ns - 16 ns

输入电容(Ciss) 5630pF @25V(Vds) - 8900pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns - 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 565000 mW - 625000 mW

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant