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JANTX1N6153US、JANTXV1N6153US、JAN1N6153US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N6153US JANTXV1N6153US JAN1N6153US

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 22.8V 1.5kW 2Pin G-MELFTvs Diode 22.8vwm 43.68vc CpkgG-MELF 22.8V 1500W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 G-MELF SQ-MELF SQ-MELF

引脚数 2 - -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - 27.08 V 27.08 V

最大反向电压(Vrrm) - - 22.8V

钳位电压 41.6 V - -

测试电流 40 mA - -

击穿电压 27 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -

封装 G-MELF SQ-MELF SQ-MELF

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 EAR99 - -