APT5010LVFR、APT5010LVR、IXFK48N50Q对比区别

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型号 APT5010LVFR APT5010LVR IXFK48N50Q

描述 TO-264 N-CH 500V 47A功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-264 TO-264 TO-264-3

耗散功率 - - 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 - 16 ns 22 ns

输入电容(Ciss) - 7400pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)

下降时间 - 5 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 520000 mW 500W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 47A 47A -

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

封装 TO-264 TO-264 TO-264-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free