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BZX85C200、Z1200、JANTXV1N4496US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C200 Z1200 JANTXV1N4496US

描述 DO-41 200V 1.3WDO-41 200V 1WSMD 200V 1.5W

数据手册 ---

制造商 EIC EIC Semtech Corporation

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 DO-41 DO-41 SMT

引脚数 2 2 -

容差 - - ±5 %

耗散功率 1.3 W 1 W 1.5 W

稳压值 200 V 200 V 200 V

额定功率(Max) - - 1.5 W

测试电流 1.5 mA 1.2 mA -

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

封装 DO-41 DO-41 SMT

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free