锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PIC18F2580-I/SO、PIC18F2580T-I/SO、PIC18F258-I/SP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2580-I/SO PIC18F2580T-I/SO PIC18F258-I/SP

描述 PIC18F2480/2580/4480/4580 8 位闪存微控制器### PIC18 微控制器28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器与ECAN技术, 10位A / D和纳瓦技术 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with ECAN Technology, 10-Bit A/D and nanoWatt TechnologyMICROCHIP  PIC18F258-I/SP  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F, 40 MHz, 32 KB, 1.5 KB, 28 引脚, NDIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 DIP-28

频率 40 MHz - 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V - 4.2V ~ 5.5V

针脚数 28 - 28

时钟频率 40 MHz 40.0MHz (max) 40 MHz

RAM大小 1.5 KB 1.5K x 8 1.5 KB

位数 8 8 8

FLASH内存容量 32768 B - 32768 B

I/O引脚数 36 36 23

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 32000 B - 32000 B

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 25 Input - 22 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V - 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V - 4.2 V

内核子架构 - - PIC18

耗散功率 - 1000 mW -

长度 17.9 mm - 35.18 mm

宽度 7.5 mm - 7.49 mm

高度 2.35 mm - 3.43 mm

封装 SOIC-28 SOIC-28 DIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - 3A991