BLT80、BLT80,115、BLT81,115对比区别

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型号 BLT80 BLT80,115 BLT81,115

描述 超高频功率晶体管 UHF power transistorTrans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/RNXP  BLT81,115  晶体管 双极-射频, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

电源电压(DC) 7.50 V - 7.50 V

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W 2 W 2 W

最小电流放大倍数(hFE) 25 25 @150mA, 5V 25 @300mA, 5V

测试频率 900 MHz - -

直流电流增益(hFE) 25 25 25

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

电源电压 7.5 V - 6 V

输出功率 - 0.8 W 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V 9.5 V

额定功率(Max) - 2 W 2 W

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

针脚数 - - 3

增益 - - 8 dB

最大电流放大倍数(hFE) - - 25

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.7 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99