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JAN2N1613L、JANTXV2N1613、2N1613对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1613L JANTXV2N1613 2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-39 TO-39

引脚数 - - 3

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

耗散功率 - - 0.8 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 800 mW

封装 TO-5 TO-39 TO-39

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

材质 - - Silicon

RoHS标准 - - Non-Compliant