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IRF7413GTRPBF、IRF7413TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7413GTRPBF IRF7413TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 13AINFINEON  IRF7413TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

通道数 1 -

漏源极电阻 11 mΩ 0.011 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 13A 13A

上升时间 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 46 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W

针脚数 - 8

输入电容 - 1800 pF

额定功率(Max) - 2.5 W

长度 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free