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MAP6KE62A、MAP6KE62AE3、P6KE62AT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE62A MAP6KE62AE3 P6KE62AT

描述 53V 600WESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18-2 -

最大反向电压(Vrrm) 53V 53V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 58.9 V 58.9 V -

封装 T-18 T-18-2 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -