AS6C1008-55PCN、K6T1008C2E-DB55、AS6C1008-55PIN对比区别

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型号 AS6C1008-55PCN K6T1008C2E-DB55 AS6C1008-55PIN

描述 ALLIANCE MEMORY  AS6C1008-55PCN  芯片, SRAM, 1MB, 2.7V-5.5V, 128KX8, PDIP321Mbit SRAM 55ns 32-DIP - K6T1008C2E-DB55SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Samsung (三星) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片存储芯片

封装 DIP-32 DIP DIP-32

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 32 - 32

封装 DIP-32 DIP DIP-32

长度 41.91 mm - -

宽度 13.818 mm - -

高度 3.81 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作电压 2.7V ~ 5.5V - 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns - 55 ns

电源电压 2.7V ~ 5.5V - 2.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

电源电压(DC) 3.00 V - -

针脚数 32 - -

内存容量 125000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 EAR99 - -