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199D335X0025B7V1E3、199D335X9035B7V1E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D335X0025B7V1E3 199D335X9035B7V1E3

描述 Cap Tant Solid 3.3uF 25V 20% (5 X 10.12mm) Radial 6.35mm 125℃ BulkCap Tant Solid 3.3uF 35V 10% (5 X 10.12mm) Radial 6.35mm 125℃ Bulk

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 Radial -

电容 3.3 μF 3.30 µF

容差 ±20 % ±10 %

额定电压 25 V 35 V

封装 Radial -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free