BFN19、BFN19E6327HTSA1、BST16TC对比区别

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型号 BFN19 BFN19E6327HTSA1 BST16TC

描述 PNP硅高压晶体管 PNP Silicon High-Voltage TransistorsSOT-89 PNP 300V 0.2ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-89 SOT-89 -

引脚数 - 4 -

额定功率 1 W - -

频率 - 100 MHz -

极性 - PNP -

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

长度 4.50 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 1.50 mm - -

封装 SOT-89 SOT-89 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

材质 - Silicon -

产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -