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7130LA35PDG、IDT7130LA35PDG、7130LA35P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7130LA35PDG IDT7130LA35PDG 7130LA35P

描述 静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAMDual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.61INCH, 0.19INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, DIP-48SRAM Chip Async Dual 5V 8Kbit 1K x 8 35ns 48Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP-48 DIP-48 PDIP-48

引脚数 48 - 48

封装 PDIP-48 DIP-48 PDIP-48

长度 61.7 mm - 61.7 mm

宽度 15.24 mm - 15.24 mm

高度 3.8 mm - 3.8 mm

厚度 3.80 mm - 3.80 mm

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

存取时间 35 ns - 35 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)