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AP6679GH-HF、STD30PF03LT4、STD30PF03L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP6679GH-HF STD30PF03LT4 STD30PF03L

描述 P沟 -30V -75ASTMICROELECTRONICS  STD30PF03LT4  晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 VP沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

极性 - P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 24.0 A 24A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 70000 mW

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -24.0 A -

额定功率 - 70 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.028 Ω -

耗散功率 - 70 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

上升时间 - 122 ns -

输入电容(Ciss) - 1670pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 26 ns -

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - 175℃ (TJ) -