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MAP6KE6.8CATRE3、MAP6KE6.8CA、MAP6KE6.8CAE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE6.8CATRE3 MAP6KE6.8CA MAP6KE6.8CAE3

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN5.8V 600W5.8V 600W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - T-18 T-18

最大反向电压(Vrrm) - 5.8V 5.8V

脉冲峰值功率 - 600 W 600 W

最小反向击穿电压 - 6.45 V 6.45 V

封装 - T-18 T-18

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free