IS42S32200C1-6TL、IS42S32200E-6TL、IS42S32200E-7TL对比区别

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型号 IS42S32200C1-6TL IS42S32200E-6TL IS42S32200E-7TL

描述 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-IIRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

引脚数 - 86 86

电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - -

时钟频率 166MHz (max) - -

存取时间 6.00 ns 5.5 ns -

内存容量 64000000 B - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

频率 - 166 MHz -

供电电流 - 160 mA 140 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

长度 - 22.42 mm 22.42 mm

宽度 - 10.29 mm 10.29 mm

高度 - 1.05 mm 1.05 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Design Not Recommended for New Design

包装方式 Tray Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅