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1N749A-1、JAN1N749A-1、1N749A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N749A-1 JAN1N749A-1 1N749A

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES半瓦齐纳二极管 Half Watt Zeners

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-213AA-2 DO-35 DO-35-2

额定电压(DC) - - 4.30 V

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 - - 400 mW

击穿电压 - - 4.30 V

正向电压 1.1V @200mA - 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW 480 mW 500 mW

测试电流 20 mA 20 mA 20 mA

稳压值 4.3 V 4.3 V 4.3 V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

长度 3.71 mm - 4.56 mm

宽度 - - 1.91 mm

高度 - - 1.91 mm

封装 DO-213AA-2 DO-35 DO-35-2

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99