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BZV55C10、TZMC10GS18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55C10 TZMC10GS18

描述 10V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 - 2

封装 - SOD-80-2

安装方式 - Surface Mount

测试电流 - 5 mA

稳压值 - 10 V

正向电压(Max) - -

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.5V @200mA

耗散功率 - 500 mW

额定功率(Max) - 500 mW

耗散功率(Max) - 500 mW

封装 - SOD-80-2

长度 - 3.7 mm

宽度 - 1.6 mm

高度 - 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 175℃