IRF7815TRPBF、TPCA8006-H、IRF7815PBF对比区别

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型号 IRF7815TRPBF TPCA8006-H IRF7815PBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。MOSFET TPC SeriesINFINEON  IRF7815PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

额定功率 2.5 W - 2.5 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.034 Ω - 0.034 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 150 V - 150 V

连续漏极电流(Ids) 5.1A - 5.1A

上升时间 3.2 ns - 3.2 ns

输入电容(Ciss) 1647pF @75V(Vds) - 1647pF @75V(Vds)

下降时间 8.3 ns - 8.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

输入电容 1647 pF - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 - SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17