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IRLR3410PBF、IRLR3410TRPBF、IRLR3410TRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3410PBF IRLR3410TRPBF IRLR3410TRRPBF

描述 INFINEON  IRLR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 105 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 100V 17A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 52 W 52 W 52 W

通道数 - 1 1

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 79 W 79 W 79 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17A 17A

上升时间 53 ns 53 ns 53 ns

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.105 Ω 0.105 Ω -

阈值电压 2 V 2 V -

输入电容 800 pF 800 pF -

漏源击穿电压 - 100 V -

额定功率(Max) - 79 W -

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -