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APT20M20LLLG、IXFK140N20P、IXTK140N20P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M20LLLG IXFK140N20P IXTK140N20P

描述 TO-264 N-CH 200V 100A通孔 N 通道 200V 140A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK140N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 15 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.018 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 - 830W (Tc) 800 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 100 A - 140 A

上升时间 40 ns 35 ns 35 ns

反向恢复时间 - - 180 ns

输入电容(Ciss) 6850pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

下降时间 2 ns 90 ns 90 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 568000 mW 830W (Tc) 800W (Tc)

额定功率(Max) - 830 W -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 100 A - -

输入电容 6.85 nF - -

栅电荷 110 nC - -

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

ECCN代码 - EAR99 -