1N747A、JANTXV1N747A-1、BZT52C24对比区别

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型号 1N747A JANTXV1N747A-1 BZT52C24

描述 NTE ELECTRONICS 1N747A ZENER DIODE 3.6V 0.5W(1/2W) 5% DO-35 CASESILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 24V 6% 0.5W(1/2W) 2Pin SOD-123

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 分立器件齐纳二极管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 - DO-35-2 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 - 480 mW -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 - 3.6 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 5.08 mm -

封装 - DO-35-2 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -