IRF9Z34NSPBF、IRF9Z34NSTRR、IRF9Z34SPBF对比区别
型号 IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSTRR IRF9Z34SPBF
描述 INFINEON IRF9Z34NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 VD2PAK P-CH 55V 19AP 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
额定功率 68 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.1 Ω - 0.14 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 68 W 3.8W (Ta), 68W (Tc) 88 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 55 V - -
连续漏极电流(Ids) 19A 19A -18.0 A
上升时间 55 ns - 120 ns
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)
下降时间 41 ns - 58 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.7 W
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete -
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -