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STP95N4F3、BUK652R6-40C,127、IRL8113PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP95N4F3 BUK652R6-40C,127 IRL8113PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP95N4F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 263 W 110 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 30 V

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 11334pF @25V(Vds) 2840pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 263 W 110 W

耗散功率(Max) 110W (Tc) 263W (Tc) -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 105 A

漏源极电阻 0.0054 Ω - 6 mΩ

产品系列 - - IRL8113

阈值电压 2 V - 2.25 V

连续漏极电流(Ids) 80A - 105 A

上升时间 50 ns - 38.0 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 3 - -

漏源击穿电压 40 V - -

下降时间 15 ns - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 15.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -