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IXTA90N055T、IXTP90N055T、IXTP90N055T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA90N055T IXTP90N055T IXTP90N055T2

描述 D2PAK N-CH 55V 90ATO-220 N-CH 55V 90ATO-220 N-CH 55V 90A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 176W (Tc) 176 W 150 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90.0 A 90A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2770pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 176W (Tc) 176W (Tc) 150W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 8.8 mΩ 7 mΩ

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - 55 V 55 V

上升时间 - 30 ns 21 ns

额定功率(Max) - - 150 W

下降时间 - 20 ns 19 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.66 mm 10.66 mm

宽度 - 4.83 mm 4.83 mm

高度 - 9.15 mm 16 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR