IPI086N10N3G、IPI12CN10NG、IPI126N10N3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPI086N10N3G IPI12CN10NG IPI126N10N3G

描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorOptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262

引脚数 - 3 -

上升时间 42 ns - -

下降时间 8 ns - -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 125 W -

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -