FDT458P、NDT452AP、NTF5P03T3G对比区别

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型号 FDT458P NDT452AP NTF5P03T3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT458P  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 VON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装ON SEMICONDUCTOR  NTF5P03T3G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 100 mohm, 10 V, -1.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 3 4 4

漏源极电阻 0.105 Ω 0.065 Ω 0.1 Ω

耗散功率 3 W 3 W 3.13 W

阈值电压 - 1.6 V 1.75 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 12.5 ns 20 ns 33.0 ns

输入电容(Ciss) 205pF @15V(Vds) 690pF @15V(Vds) 950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.56 W

下降时间 2 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3 W 1.56W (Ta)

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -3.40 A - -5.20 A

极性 P-Channel - P-Channel

输入电容 205 pF - -

栅电荷 2.50 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A - 5.20 A, 5.00 A

通道数 - - 1

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.56 mm 3.56 mm 3.7 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm 1.65 mm

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99