IXFE23N100、IXFN23N100对比区别

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型号 IXFE23N100 IXFN23N100

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin ISOPLUS 227Trans MOSFET N-CH 1kV 24A 4Pin SOT-227B

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Chassis Surface Mount

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 500W (Tc) 568 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 600W (Tc)

上升时间 - 35 ns

额定功率(Max) - 595 W

下降时间 - 21 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 - 38.2 mm

宽度 - 25.07 mm

高度 - 9.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free