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BU2527AF、BUH1015、MJW16212对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2527AF BUH1015 MJW16212

描述 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORTrans GP BJT NPN 650V 10A 3Pin(3+Tab) TO-247AE

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) ST Microelectronics (意法半导体) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-218 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 700 V -

集电极最大允许电流 - 14A -

封装 - TO-218 -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free