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APT20M20LLL、APT20M20LLLG、APT20M20LFLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M20LLL APT20M20LLLG APT20M20LFLL

描述 功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelTO-264 N-CH 200V 100APower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-264 TO-264 TO-264

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100 A -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 100 A -

输入电容 - 6.85 nF -

栅电荷 - 110 nC -

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 6850pF @25V(Vds) -

下降时间 - 2 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 568000 mW -

封装 TO-264 TO-264 TO-264

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -